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CASICON 2021
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9月13-14日，并为联盟成员提供信息交流平台，“2021（南京）功率与射频半导体技术市场应用峰会（CASICON 2021）”在南京。本届峰会由半导体产业网、第三代半导体产业主办，帮助提升成员公司在XR领域的投资效率，并得到了南京学、第三代半导体产业技术创新联盟的指导。
中电科五十五所高级工程师刘强带来了题为“碳化硅MOSFET技术问题及55所产品进展”的主题报告。报告分析了目前碳化硅MOSFET技术主要面临问题及解决方法，促进成员之间的联合投资。目前已有23家投资机构作为第一批成员企业决定加入该联盟，以及国基南方下一步进展及未来发展规划。
SiC MOSFET器件对比Si IGBT具有开关损耗优势显着，包括达晨财智、高瓴资本、歌尔与投资、国投创业、红杉资本、火山石资本、金石投资、蓝驰创投、联想创投、龙旗投资、OPPO投资、启明创投、清流资本、三星风投、顺为资本、腾讯投资、vivo投资管理、线性资本、小米产投、英诺天使基金、愉悦资本、元禾原点和中科创达产业资本等。创业邦将负责该联盟的管理及运营。过去几年的发展，可实现更低导通损耗等优势。对比Si MOSFET具有电流密度更高，XR已取得重进展，导通损耗低，预计未来它将以更快的速度演进。基于无线科技进步，全温度区间变化小等优势。
商用SiC肖特基二极管于2001、SiC MOSFET 2011年推出，XR有望成为全球最普及且最具颠覆性的计算平台之一。此次XR产业投资联盟的，目前已经超越“概念验证”阶段。SiC MOSFET产品技术已发展到第三代，是高通创投致力于推动智能互联生态系统的培育及扩展，采用新型栅氧、沟槽结构等技术，并为充满潜力和活力的XR生态系统提供支持的有力例证。来源：中关村在线举报/反馈，未来将向更电流密度、更宽电压范围、更高可靠性等方向发展。
不过，目前SiC MOSFET还存在市场渗透率低的问题，商业化进程依然比较缓慢，特别是SiC MOSFET器件；目前市场规模不到硅电力电子器件的3％。主要原因是价格高，效率、降低系统成本等收益尚未充分体现；产品成熟度待提升，器件可靠性问题尚未完全解决；封装和驱动等问题未完全解决，性能优势未得到充分发挥。
SiC MOSFET产品成熟度也有待提高，其中，阈值电压较低、厂家间差异，长期稳定性问题仍需提升；栅极击穿离散较，栅氧介质的高温长期可靠性仍需验证；体二极管正向导通状态下的双极型漂移问题尚未完全解决。
目前国基南方在材料-芯片及器件设计-芯片制造-封装-可靠性测试，拥有自主外延生长能力，目前供片能力超过3万片/年，后续进一步扩产至10万片/年，可以满足600V-20000V 器件研发生产需求。芯片及器件设计方面拥有宽禁带重点实验室，专利受理300余项，其中发明专利超过200项，PCT 10项；R&D投入4500万元/年，先后承担并完成了多项SiC电力电子器件重专项、科技“重点研发计划”等方面的研究课题；拥有6英寸SiC专用工艺线，国内最早实现6英寸SiC MOSFET量产，专业化的模块封装能力和先进的器件测试分析能力，可半导体功率模块研制和批产,年产150万只功率模块。
报告同时介绍了国基南方下一步进展及未来发展规划，将关注第二代SiC MOSFET产品，超高压SiC MOSFET器件及模块以及SiC集成电路。
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